Fotodiodo de silicio C30902EH

avalanchade infrarrojosLIDAR

Descripción general
Los fotodiodos avalanche C30902EH de Excelitas son APD de silicio «reach-through» de gran área y alta velocidad, diseñados para aplicaciones con poca luz que requieren ganancias típicas superiores a 100. Empaquetados en carcasas TO-18 modificadas con ventana de vidrio plano, disponibles en varias configuraciones TO-18 (vidrio plano, lente esférica, guía de luz y filtro de 905 nm). El diámetro útil de la superficie fotosensible es de 0,5 mm.

Detalles clave
La serie C30902EH se fabrica con una estructura doble-difundida «reach-through» que proporciona alta responsividad entre 400 nm y 1000 nm y tiempos de subida/bajada extremadamente rápidos. La responsividad es independiente de la frecuencia de modulación hasta típ. 800 MHz. El chip detector está herméticamente sellado detrás de una ventana de vidrio plano en un paquete TO-18 modificado. La familia también incluye una variante APD capaz de fotón único (SPAD) (C30902SH) operable en modos Geiger y lineal.

Características y ventajas

• APD de Si 0,5 mm en carcasa TO-18
• Alta eficiencia cuántica – 84% típico a 800 nm
• Bajo ruido a temperatura ambiente
• Alta responsividad – ganancias de avalancha internas >150
• Rango de respuesta espectral – 400 a 1100 nm
• Respuesta temporal – típ. 0,4 ns
• Amplio rango de temperatura de funcionamiento -40°C a +85°C

Aplicaciones

• Mediciones LiDAR / Time-of-Flight (ToF)
• Reflectómetro en el dominio del tiempo óptico (OTDR)
• Fluorescencia de pequeña señal
• Escaneo láser

Especificaciones técnicas

• Área activa: 0,2 mm²
• Diámetro activo: 0,5 mm
• Tensión de ruptura: Tip. 225 V
• Capacitancia: 1,5 pF
• Coeficiente de temperatura: Tip. 0,7 V/°C
• Corriente de oscuridad: 7 nA
• Ruido de oscuridad: 0,1 pA/√Hz
• Potencia equivalente de ruido: 1,23 fW/√Hz
• Responsividad típica: 80 A/W a 800 nm
• Ganancia recomendada: 150
• Paquete: TO-18, ventana plana