Módulo fotodiodo de avalancha (APD) C30737LH-300-72N

Resumen del producto:
El fotodiodo avalancha de silicio C30737LH-300-72N (Si APD) dispone de un diámetro activo de 300 µm, respuesta mejorada alrededor de 800 nm y filtro óptico pasa-banda de 905 nm en un encapsulado cerámico sin pines (LCC). Diseñado para detección rápida y bajo ruido en un paquete compacto.

Características clave:

• Alta responsividad con filtro óptico integrado a 905 nm
• Bajo ruido y tiempo de subida muy rápido; respuesta en frecuencia por encima de 700 MHz
• Diámetro activo de 300 µm optimizado para 800 nm
• Ventana con filtro pasa-banda de 905 nm
• Opción de encapsulado cerámico sin pines "LH"

Aplicaciones:

• Telémetros láser
• Medidores de distancia y equipos topográficos
• Sistemas de escaneo para seguridad y detección de áreas
• Aplicaciones que requieren un detector de alto rendimiento y bajo coste

Especificaciones técnicas:

• Diámetro activo: 300 µm
• Longitud de onda de máxima sensibilidad: 905 nm
• Tensión de ruptura Vbd: 110-165 V
• Coeficiente de temperatura de Vop para M constante: 0,6 V/°C
• Ganancia: 100 @ 800 nm
• Responsividad: 35 A/W a 905 nm
• Corriente oscura Id: 1 nA
• Corriente de ruido: 0,2 pA/√Hz
• Capacitancia: 0,7 pF
• Frecuencia de corte: 700 MHz
• Temperatura de almacenamiento: -40 °C a +100 °C
• Temperatura de funcionamiento: -20 °C a +60 °C
• Encapsulado: encapsulado cerámico sin pines 3x3 mm con ventana de vidrio (LCC)
• Ventana: filtro 905 nm