Fotodiodo UV VTB8440H

sensible a las longitudes de ondade infrarrojosde silicio

Descripción
El fotodiodo de silicio VTB8440H, potenciado para el azul, está alojado en un encapsulado cerámico empotrado de 8 mm con protección de epoxi transparente. Proporciona una respuesta mejorada en la región espectral azul, manteniendo una resistencia de shunt muy alta y una corriente de oscuridad baja, adecuado para mediciones de luz de precisión.

El dispositivo ofrece un área activa de 5,16 mm² y una respuesta espectral de 320 nm a 1100 nm. Diseñado como fotodiodo planar P-on-N, el VTB8440H está optimizado para una respuesta efectiva en la parte visible del espectro y está pensado principalmente para operación en modo fotovoltaico.

Destinado principalmente al uso en modo fotovoltaico, el fotodiodo puede emplearse con un pequeño sesgo inverso cuando se requiera. Su muy alta resistencia de shunt minimiza los offsets en circuitos amplificadores transimpedancia de alta ganancia, mejorando la estabilidad y la precisión de la medición.

Características y ventajas

• Rango espectral UV a cercano IR (320–1100 nm)
• Linealidad del 1%–2% en 7 a 9 décadas
• Corriente de oscuridad muy baja (≤ 2 nA a 2 V de sesgo inverso)
• Resistencia de shunt muy alta para bajos offsets en circuitos de alta ganancia
• Compatible con RoHS

Aplicaciones

• Detección de luz UV y azul
• Luxímetros e instrumentos fotométricos
• Monitorización de llamas
• Fotometría y detectores de laboratorio

Especificaciones técnicas

• Área activa: 5,16 mm²
• Corriente de cortocircuito: Mín. 35 µA a 100 fc, 2850 K
• Corriente de oscuridad: Máx. 2 nA a 2 V de sesgo inverso
• Capacitancia de juntura: Típ. 1,0 nF a 0 V de sesgo
• Rango espectral: 320 nm a 1100 nm
• Respuesta espectral pico: 920 nm
• Sensibilidad en la longitud de onda pico: Típ. 0,5 A/W
• Respuesta angular: ±50° al 50% de respuesta
• Encapsulado: encapsulado cerámico empotrado de 8 mm con protección de epoxi transparente
• Construcción: fotodiodo planar P-on-N de silicio, optimizado para la respuesta en el visible
• Modo de funcionamiento: principalmente fotovoltaico; puede usarse con pequeño sesgo inverso; muy alta resistencia de shunt adecuada para circuitos amplificadores transimpedancia de alta ganancia