Descripción del productoEl C30737LH-300-71N es un fotodiodo de avalancha de silicio (Si APD) con un diámetro activo de 300 µm, montado en un encapsulado cerámico sin pines (LCC). Incorpora un filtro óptico de paso de banda a 635 nm y presenta respuesta mejorada en torno a 800 nm. Diseñado para detección de alta velocidad y bajo ruido en sistemas optoelectrónicos compactos.
Características clave- Filtro de banda óptica centrado en 635 nm para detección selectiva por longitud de onda.
- Alta responsividad y bajo ruido con tiempo de subida rápido; respuesta en frecuencia superior a 700 MHz.
- Diámetro activo de 300 µm, sensibilidad optimizada cerca de 800 nm.
- Encapsulado Leadless Ceramic Carrier (LCC) para integración compacta.
- Ganancia y responsividad adecuados para aplicaciones de telemetría láser y medición de distancia.
Aplicaciones- Telemetrores láser y receptores LIDAR
- Medidores de distancia y equipos de rango industriales
- Sistemas de escaneo de área y seguridad
- Aplicaciones con restricción de coste que requieren un detector de alto rendimiento
Especificaciones técnicas- Diámetro activo: 300 µm
- Longitud de onda de máxima sensibilidad: 635 nm
- Tensión de ruptura (Vbd): 110–165 V
- Coeficiente de temperatura de Vop para M constante: 0,6 V/°C
- Ganancia: 100 @ 800 nm
- Responsividad: 30 A/W a 635 nm
- Corriente de oscuridad (Id): 1 nA
- Corriente de ruido: 0,2 pA/√Hz
- Capacitancia: 0,7 pF
- Frecuencia de corte: 700 MHz
- Temperatura de almacenamiento: -40 °C a +100 °C
- Temperatura de funcionamiento: -20 °C a +60 °C
- Encapsulado: LCC 3×3 mm con ventana de vidrio
- Ventana: filtro 635 nm