Módulo fotodiodo de avalancha (APD) C30659-1060E-R8BH

Descripción del producto
El C30659-1060E-R8BH es un receptor Avalanche Photodiode de silicio (APD Si) con un preamplificador híbrido integrado en un encapsulado TO-8 hermético. Emplea el elemento APD C30954EH optimizado para 1060 nm y un diámetro activo de 0,8 mm, proporcionando detección de bajo ruido y un buffer de salida en seguidor de emisor para acondicionamiento de señal.

Rendimiento y detalles de diseño
El módulo incorpora una etapa de entrada GaAs FET de muy bajo ruido y una topología de amplificador inversor. Los elementos APD de la familia (C30954EH y otros) ofrecen buena respuesta entre 400 y 1100 nm, con rendimiento observado hasta 1550 nm en detectores relacionados. El preamplificador está diseñado para una transimpedancia superior a la de la serie C30950, permitiendo tiempos de subida/bajada rápidos y operación a un ancho de banda del sistema de hasta 200 MHz.

Especificaciones

• Serie: C30659
• Número de pieza: C30659-1060E-R8BH
• Elemento APD: C30954EH (APD de silicio), longitud de onda optimizada 1060 nm
• Diámetro activo: 0,8 mm
• Ancho de banda del sistema: 200 MHz
• NEP: 55 fW/√Hz @ 900 nm; 100 fW/√Hz @ 1064 nm
• Respuesta espectral: 400–1100 nm (buena respuesta 830–1550 nm en la familia)
• Preamplificador: preamplificador híbrido con etapa frontal GaAs FET de muy bajo ruido
• Topología del amplificador: amplificador inversor con buffer de salida en seguidor de emisor
• Tensiones de funcionamiento: ±5 V
• Capacidad de carga de salida: 50 Ω (AC acoplado)
• Consumo típico: 150 mW
• Encapsulado: TO-8 hermético