Fotodiodo avalancha C30884EH

de silicio

Descripción del producto
El C30884EH es un fotodiodo avalancha de silicio (Si APD) que ofrece gran capacidad de modulación, alta responsividad y tiempos de subida/bajada rápidos. Debido a que la característica de tiempo de bajada no presenta 'cola', la responsividad del dispositivo es independiente de la frecuencia de modulación hasta aproximadamente 400 MHz. El detector emplea una estructura 'reach-through' de doble difusión y está optimizado para alta responsividad en longitudes de onda por debajo de 1000 nm. Diámetro activo: 1 mm.

Encapsulado
El C30884EH está sellado herméticamente detrás de una ventana de vidrio plano en un encapsulado TO-5 modificado de perfil bajo.

Aplicaciones

• Comunicaciones ópticas
• Medición de distancia por láser
• Sistemas de conmutación de alta velocidad

Características / especificaciones técnicas

• Responsividad: 85% típica a 900 nm
• Responsividad: 10% típica a 1060 nm
• Tipo de dispositivo: Fotodiodo avalancha de silicio (Si APD)
• Área activa / diámetro: 1 mm (indicado en el título del producto)
• Tipo de encapsulado: TO-5 modificado de perfil bajo, sellado herméticamente detrás de una ventana de vidrio plano
• Estructura: 'reach-through' de doble difusión
• Alta capacidad de modulación; responsividad independiente de la frecuencia de modulación hasta ~400 MHz debido a la ausencia de 'cola' en el tiempo de bajada
• Optimizado para longitudes de onda inferiores a 1000 nm