Fotodiodo de silicio C30737CH series

LIDARsensible a las longitudes de ondaavalancha

Descripción del producto:
El fotodiodo avalancha de silicio C30737CH-300-70 (Si APD) proporciona un diámetro activo de 300 μm con respuesta optimizada a 800 nm en un portador laminado sin pines orientado lateralmente (LCC), adecuado para ensamblajes de detectores compactos.

Características clave:

• Alta responsividad entre 500 y 1000 nm
• Bajo ruido y tiempo de subida extremadamente rápido en todas las longitudes de onda con respuesta en frecuencia por encima de 700 MHz
• Diámetro activo de 300 μm, optimizado para 800 nm
• Portador laminado sin pines con opción "CH"

Aplicaciones:

• Detección de distancia por láser
• Distanciómetros
• Escaneo de áreas y seguridad
• Aplicaciones que requieren un detector de alto rendimiento y bajo coste

Especificaciones técnicas:

• Diámetro activo: 300 μm
• Longitud de onda de sensibilidad máxima: 800 nm
• Tensión de avalancha Vbd: 110-160 V
• Ganancia: 100 @ 800 nm
• Responsividad: 35 A/W a 635 nm
• Corriente de oscuridad: 1 nA
• Corriente de ruido: 0,2 pA/√Hz
• Capacitancia: 0,7 pF
• Frecuencia de corte: 700 MHz
• Temperatura de almacenamiento: -20°C a +70°C
• Temperatura de funcionamiento: -10°C a +50°C
• Encapsulado: 2x4 mm FR4 epoxi, portador laminado sin pines orientado lateralmente